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3d x-dram 文章 进入3d x-dram技术社区

SSD九个季度以来首次上涨 厂商们要持续涨价:涨幅55%只是开始

  • 1月1日消息,据供应链最新消息称,SSD产品九个季度以来首次上涨,而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示,2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元,皆较前一季度(2023年7-9月)上涨9%,也都是九个季度以来(2021年7-9月以来)首度上涨。自2023下半年以来,存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和,约20%,但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
  • 关键字: SSD  涨价  DRAM  

全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长

  • 12月22日消息,据报道,Adroit Market Research预计,全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长,到2032年将达到1530亿美元,2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示,半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B,复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明,到2022年,每辆汽车的半导体器件价值约为540美元,在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下,到2028年,该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
  • 关键字: 汽车电子  半导体  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  

集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)环比增长 18-23%,而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低,加上原厂减产效应作用,这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  

300层之后,3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字: 3D NAND  

DRAM掀起新一轮热潮,封装技术发挥关键作用

  • 处理器,无论是 CPU、GPU、FPGA,还是 NPU,要想正常运行,都离不开 RAM,特别是 DRAM(动态随机存取存储器),它已经成为各种系统(PC,手机,数据中心等)中内存的代名词。根据应用不同,系统对芯片面积和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成标准 DDR(双倍数据速率)、LPDDR、GDDR 等,当然,主要就是这三类。其中,DDR 是相对于 SDR(单数据速率)而言的,将 I/O 时钟加倍了,主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务,目前已经发展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
  • 关键字: DRAM  封装技术  HBM  

DRAM的范式转变历程

  • 本文总结和更新了 DRAM 的产品、发展和技术趋势。
  • 关键字: DRAM  

集邦咨询称 2023Q3 全球 DRAM 规模 134.8 亿美元,环比增长 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息,根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 产业规模合计营收 134.8 亿美元,环比增长 18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温,买方重启备货动能,让各原厂营收皆有所增长。展望今年第 4 季度,供给方面,原厂涨价态度明确,预估第四季 DRAM 合约价上涨约 13~18%;需求方面的回温程度则不如过往旺季,整体而言,DRAM 行业出货增长幅度有限。三家主流厂商情况细分到各家品牌,三大原厂营收皆有所成长
  • 关键字: DRAM  闪存  

消息称 SK 海力士与三星电子 DRAM 市场份额差距已缩小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息,上周就有研究机构的数据显示,在人工智能聊天机器人 ChatGPT 大火带动的人工智能领域应用需求增加的推动下,SK 海力士三季度在全球 DRAM 市场的份额达到了 35%,是他们自成立以来市场份额最高的一个季度。而从最新报告来看,DRAM 市场份额在三季度创下新高的 SK 海力士,也缩小了同竞争对手三星电子在这一产品领域的市场份额差距。研究机构的报告显示,SK 海力士 DRAM 产品在三季度的销售额为 46.3 亿美元,环比增长 34.59%;三星电子 DRAM 三季度的销售额则是
  • 关键字: 三星  DRAM  海力士  

三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元,连续两个季度环比增长

  • 11 月 30 日消息,据外媒报道,从去年下半年开始,受消费电子产品需求下滑影响,全球存储芯片的需求也明显下滑,三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下,DRAM 这一类存储产品的价格已在回升,销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示,在今年三季度,全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元,环比增长 19.2%,在一季度的 93.7 亿美元之后,已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长,也就意味着主要厂商的销售额,环
  • 关键字: DRAM  闪存  三星  海力士  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字: TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

AI推动SK海力士DRAM市场份额达到有史以来最高水平

  • 据外媒报道,在OpenAI训练的人工智能聊天机器人ChatGPT大火,谷歌等一众科技巨头纷纷加入生成式人工智能和大型语言模型的赛道之后,外媒就预计对AI服务器的需求将大幅增加,高性能GPU、高带宽存储器的需求也将随之增加,半导体行业的多家厂商,将迎来新的发展机遇。市场研究公司Omdia的最新分析显示,存储芯片厂商SK海力士就已从人工智能应用需求增加中获益,他们三季度在全球DRAM市场的份额达到了35%,占据了超过三分之一的份额。也是SK海力士自成立以来,在全球DRAM市场份额最高的一个季度。由于生成式人工
  • 关键字: AI  SK海力士  DRAM  

存储市场前瞻:DDR5 需求显著增长、AI 崛起让手机内存迈入 20GB 时代

  • IT之家 11 月 24 日消息,由于厂商减产的效果逐渐显现,以及特定应用市场的持续强劲需求,DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨,并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估,2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%,上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM:根据国外科技媒体 WccFtech 报道,2024 年手机的一个明显变化是
  • 关键字: 闪存  DRAM  NAND  

美光率先为业界伙伴提供基于32Gb单裸片DRAM的高速率、低延迟128GB大容量RDIMM内存

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存,具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能,可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用,例如人工智能 (AI)、内存数据库 (IMDB) 以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景,满足它们对
  • 关键字: 美光  DRAM  128GB  RDIMM内存  

X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品,成功丰富了其SPAD产品的选择范围,提升了解决众多视近红外
  • 关键字: X-FAB  近红外  SPAD  
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